标题：onsemi安森美FGA40N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN技术与应用介绍 onsemi安森美FGA40N65SMD芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN，它是一款广泛应用于电力电子领域的半导体器件。 首先，我们来了解一下这款芯片的特点。它采用了先进的650V技术，能够承受高达80A的电流，同时保持低导通电阻，从而实现了高效、稳定的功率转换。此外，它还具有出色的热稳定性，能够在高负荷下保持稳定的性能，确保
标题：onsemi安森美FGH40T65SHDF-F155芯片IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美FGH40T65SHDF-F155芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3器件，它以其独特的特性在电力电子领域中发挥着重要的作用。 首先，我们来了解一下这款芯片的特点。FGH40T65SHDF-F155芯片采用了先进的650V技术，能够承受高达80A的电流，同时保持低导通电阻，从而实现了高效、快
安森美带您了解碳化硅（SiC）半导体
2024-07-29碳化硅半导体制造建立在现有的生产方法之上，但需要全新的工艺，用来提高产量和降低成本，保证在生产过程中每个阶段的最高质量。 让安森美(ON Semiconductor)碳化硅（SiC）从工艺制造技术的角度，带您走近碳化硅。 工业和汽车是中功率和大功率电子元器件的两个大市场。随着诸如IGBT的现有技术与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等技术相结合，工业、汽车和其他电气化趋势正在重塑其应用的领域，借助这种趋势，SiC二极管和MOSFET以及功率模块快速发展，使得以电机驱动和逆变器为主要构成的应用受
标题：onsemi ISL9V3040S3ST芯片IGBT 430V 21A TO263AB的技术与应用介绍 onsemi ISL9V3040S3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），它具有430V 21A的额定电压和电流，以及TO-263AB的封装形式。这种新型的功率半导体器件在许多领域都有着广泛的应用，包括电力转换、电机驱动、逆变器、充电桩等。 ISL9V3040S3ST芯片的特点在于其出色的开关速度和热效率。它的开启和关闭速度非常快，这使得它非常适合用于需要频繁开关的场合，
标题：onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3的技术与应用介绍 onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3是一种高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），广泛应用于各种电子设备中，如电力转换器、电机驱动器、加热器和电源模块等。 技术特点： 1. 高压、大电流设计，适用于高功率应用场景； 2. 快速开关特性，能够快速响应负载变化，提高效率； 3. 高可靠性和耐久性，适用于恶劣工作环境； 4. 集成度高，采用DPAK封装，减
标题：onsemi ISL9V3040D3ST芯片IGBT 430V 21A TO252AA的技术和应用介绍 onsemi ISL9V3040D3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT），采用TO252AA封装，适用于各种电源应用领域。该芯片具有430V的额定电压和高达21A的额定电流，适用于需要高效、可靠和安全电源转换的场合。 技术特点： 1. 430V的额定电压和高达21A的额定电流，适用于各种电源应用领域。 2. 采用先进的IGBT技术，具有更高的开关速度和效率。 3. 内置的
标题：onsemi安森美FGH60N60SMD芯片IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247的技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司，其FGH60N60SMD芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片，具有600V和120A的规格，适用于大功率开关和转换应用。 技术特点： 1. 这款芯片采用了先进的IGBT技术，具有高开关速度和低损耗的特点，适用于各种工业和电源应用。 2. 它具有出色的热性能和可靠性，能够承受高电流和高电压的负载，同时保持稳定
标题：onsemi安森美FGA60N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P的技术与应用介绍 onsemi安森美FGA60N65SMD芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P，它是一种重要的功率半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。 首先，我们来了解一下这款芯片的技术特点。它采用了先进的650V技术，能够承受高达650V的电压，具有出色的耐压性能。同时，它还具有120A的电流容量，适用于各种大功率应用场景。此外，该芯片还采
标题：onsemi安森美HGTG11N120CND芯片IGBT NPT 1200V 43A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美HGTG11N120CND芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），适用于各种工业应用和高电压大电流的电源系统。该芯片采用TO247-3封装，工作电压高达1200V，最大电流达43A，具有高输入阻抗、快速开关特性、低导通压降等优点。 技术特点： * 高输入阻抗：HGTG11N120CND芯片具有高输入阻抗，降低了功耗，提高了电源效率。 * 快速开关