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标题:onsemi安森美FGA40N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN技术与应用介绍 onsemi安森美FGA40N65SMD芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN,它是一款广泛应用于电力电子领域的半导体器件。 首先,我们来了解一下这款芯片的特点。它采用了先进的650V技术,能够承受高达80A的电流,同时保持低导通电阻,从而实现了高效、稳定的功率转换。此外,它还具有出色的热稳定性,能够在高负荷下保持稳定的性能,确保
标题:onsemi安森美FGH40T65SHDF-F155芯片IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美FGH40T65SHDF-F155芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3器件,它以其独特的特性在电力电子领域中发挥着重要的作用。 首先,我们来了解一下这款芯片的特点。FGH40T65SHDF-F155芯片采用了先进的650V技术,能够承受高达80A的电流,同时保持低导通电阻,从而实现了高效、快
碳化硅半导体制造建立在现有的生产方法之上,但需要全新的工艺,用来提高产量和降低成本,保证在生产过程中每个阶段的最高质量。 让安森美(ON Semiconductor)碳化硅(SiC)从工艺制造技术的角度,带您走近碳化硅。 工业和汽车是中功率和大功率电子元器件的两个大市场。随着诸如IGBT的现有技术与碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等技术相结合,工业、汽车和其他电气化趋势正在重塑其应用的领域,借助这种趋势,SiC二极管和MOSFET以及功率模块快速发展,使得以电机驱动和逆变器为主要构成的应用受
标题:onsemi ISL9V3040S3ST芯片IGBT 430V 21A TO263AB的技术与应用介绍 onsemi ISL9V3040S3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),它具有430V 21A的额定电压和电流,以及TO-263AB的封装形式。这种新型的功率半导体器件在许多领域都有着广泛的应用,包括电力转换、电机驱动、逆变器、充电桩等。 ISL9V3040S3ST芯片的特点在于其出色的开关速度和热效率。它的开启和关闭速度非常快,这使得它非常适合用于需要频繁开关的场合,
标题:onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3的技术与应用介绍 onsemi安森美FGD3050G2芯片IGBT 500V 27A DPAK-3是一种高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),广泛应用于各种电子设备中,如电力转换器、电机驱动器、加热器和电源模块等。 技术特点: 1. 高压、大电流设计,适用于高功率应用场景; 2. 快速开关特性,能够快速响应负载变化,提高效率; 3. 高可靠性和耐久性,适用于恶劣工作环境; 4. 集成度高,采用DPAK封装,减
标题:onsemi ISL9V3040D3ST芯片IGBT 430V 21A TO252AA的技术和应用介绍 onsemi ISL9V3040D3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),采用TO252AA封装,适用于各种电源应用领域。该芯片具有430V的额定电压和高达21A的额定电流,适用于需要高效、可靠和安全电源转换的场合。 技术特点: 1. 430V的额定电压和高达21A的额定电流,适用于各种电源应用领域。 2. 采用先进的IGBT技术,具有更高的开关速度和效率。 3. 内置的
标题:onsemi安森美FGH60N60SMD芯片IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247的技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司,其FGH60N60SMD芯片是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管)芯片,具有600V和120A的规格,适用于大功率开关和转换应用。 技术特点: 1. 这款芯片采用了先进的IGBT技术,具有高开关速度和低损耗的特点,适用于各种工业和电源应用。 2. 它具有出色的热性能和可靠性,能够承受高电流和高电压的负载,同时保持稳定
标题:onsemi安森美FGA60N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P的技术与应用介绍 onsemi安森美FGA60N65SMD芯片是一款高性能的IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P,它是一种重要的功率半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。 首先,我们来了解一下这款芯片的技术特点。它采用了先进的650V技术,能够承受高达650V的电压,具有出色的耐压性能。同时,它还具有120A的电流容量,适用于各种大功率应用场景。此外,该芯片还采
标题:onsemi安森美HGTG11N120CND芯片IGBT NPT 1200V 43A TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美HGTG11N120CND芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),适用于各种工业应用和高电压大电流的电源系统。该芯片采用TO247-3封装,工作电压高达1200V,最大电流达43A,具有高输入阻抗、快速开关特性、低导通压降等优点。 技术特点: * 高输入阻抗:HGTG11N120CND芯片具有高输入阻抗,降低了功耗,提高了电源效率。 * 快速开关
标题:onsemi FGHL40T65MQDT芯片FS4 MID SPEED IGBT 650V 40A TO24技术与应用介绍 onsemi安森美FGHL40T65MQDT芯片是一款适用于中速(FS4)IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的650V 40A TO-24封装产品。该芯片以其高效率、高可靠性、低噪音和良好的热特性,广泛应用于各种电源和电机控制领域。 技术特点: * 650V 40A的耐压和电流规格,保证了芯片在高温和高压环境下仍能保持稳定的工作状态; * 中速(FS4)设计,适用于中功